Samsung 845 DC EVO, 960 Go, SATA III
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Samsung 845 DC EVO, 960 Go, SATA III

SSD - Contrôleur Samsung 3-Core MEX - Lecture : 530 Mo/s - Ecriture : 410 Mo/s - Epaisseur 7 mm
DESCRIPTION
Attention : ce SSD est vendu sans accessoires (nappe SATA, adaptateur 3.5" vers 2.5", kit de transfert,...). Vous les trouverez dans l'onglet "produits liés" de cette page !

SSD Samsung 845 DC EVO, 960 Go, SATA III (picto:1436)
845 DC EVO, 960 Go, SATA III


Un SSD de haute performance conçu spécialement pour les centres de données



Une performance et une fiabilité exceptionnelles spécialement conçues pour une utilisation dans des centres de données.
Afin de répondre à la demande, les centres de données doivent être efficaces et fournir constamment des performances exceptionnelles avec une faible latence. En raison des différentes charges de travail d'écriture et de lecture ainsi que de leur nécessité de travailler continuellement 24/7, il est capital que les centres de données maintiennent un niveau de stabilité élevé. L'exposition aux risques de corruption ou de suppression des données occasionnées par des pannes de courant imprévues suscite également de fortes préoccupations.

En tant que chef de file dans la technologie des mémoires, Samsung possède l'expertise nécessaire pour proposer aux centres de données des SSD (Solid State Drive) supérieurs offrant des performances incroyables et une haute fiabilité, même en cas de coupure de courant. Conçu spécialement pour les centres de données, le SSD 845DC EVO de Samsung utilise des puces NAND sélectionnées avec soin, un contrôleur optimisé et une architecture de protection fiable contre les pannes de courant afin de permettre aux centres de données d'être hautement performant 24 h sur 24, 7 jours sur 7, 365 jours par an.

Une performance exceptionnelle pour des centres de données fortement demandés



Le SSD d'un centre de données doit livrer des performances constantes pour répondre aux exigences de qualité de service (QDS). La qualité de service est mesurée d'après le pourcentage des temps de réponse inférieurs à une valeur donnée caractérisée par la régularité des performances stables de l'appareil. Cela revêt une importante particulière dans les environnements de centres de données en nuages. Un taux de latence faible est également essentiel puisqu'il s'agit du délai entre la réception d'une requête de lecture dans la mémoire et la transmission des données correspondant à la demande.

Le 845DC EVO a un taux de latence faible pour des charges de travail non-mixtes et des lectures et écritures 100% aléatoires, ce qui se traduit par une qualité de service améliorée. En ce qui concerne les lectures et écritures séquentielles, le 845DC EVO affiche également des résultats de qualité de service impressionnants, tout comme pour les charges de travail mixtes.

Maintenir un niveau élevé de performances durables à l'aide de composants de haute qualité



Pour répondre aux exigences critiques de l'environnement des centres de données, un SSD doit maintenir un niveau de performances sur de longues périodes. Le Samsung SSD 845DC EVO a été spécialement conçu pour relever ces défis uniques et il a été optimisé pour exceller dans pratiquement n'importe quel scénario de centre de données, présentant les meilleurs résultats au moment le plus important.

Équipé d'une mémoire et d'un contrôleur MEX Samsung optimisé pour les centres de données, le 845DC EVO offre des performances durables en matière de lecture / écriture aléatoires et séquentielles pour différentes configurations RAID. Les puces NAND utilisées dans les 845DC EVO ont été sélectionnées parmi les plaquettes de meilleure qualité, réglées pour fournir une grande endurance, puis testées au niveau des composants et du système avant d'être finalement approuvées pour être utilisées dans les SSD. Le 845DC EVO présente également une faible consommation d'énergie et un bon ratio coût-efficacité.

Assurer une intégration optimale grâce à une solution de bout en bout



Les trois composants principaux de n'importe quel SSD sont : une mémoire flash NAND, un contrôleur et un microcode. La mémoire flash NAND s'occupe de la lourde de tâche de stockage de vos précieuses données. Le contrôleur et le microcode travaillent quant à eux ensemble pour réaliser la tâche complexe et essentielle de gérer le stockage des données et de maintenir les performances et la durée de vie du SSD. Une intégration optimale de chaque composant est cruciale pour créer un SSD de haute qualité.

Moteur ECC avancé et protection des données de bout en bout



Détectez les variations des signaux et remédiez-y de façon proactive en temps réel. Cette fonctionnalité augmente de manière significative la fiabilité du SSD en augmentant le champ de détection des erreurs sur l'ensemble du chemin d'accès, depuis l'interface hôte jusqu'à la mémoire flash NAND dans le SSD. Il existe des algorithmes spécifiques qui surveillent et ajustent chaque cellule pour obtenir une endurance plus élevée, alors que le nivellement d'usure et les remplacements de bloc sont gérés de manière proactive en surveillant le niveau d'endurance de la NAND.

Protection contre les pannes de courant



Préservez l'intégrité de vos données d'une panne de courant imprévue grâce à l'architecture de protection avancée de Samsung contre les pannes de courant. L'utilisation de l'électricité d'un condensateur au tantale permet de fournir un laps de temps suffisant pour transférer les données en cache du DRAM sur la mémoire flash, permettant ainsi d'éviter toute perte de données.

La technologie SMART



Surveillez de manière proactive les lecteurs de l'ordinateur pour détecter et rapporter divers indicateurs de fiabilité avec la technologique SMART (Self-Monitoring, Analysis, and Reporting Technology). Lorsqu'une panne est détectée, la technologie SMART avertit l'utilisateur d'une panne imminente sur le lecteur, laissant ainsi à l'utilisateur assez de temps pour remplacer le lecteur défaillant, ce qui permet d'éviter toute perte de données ou des pannes imprévues.

Protection Dynamic Thermal Guard



Évitez toute surchauffe du SSD en contrôlant la vitesse de l'UC par rapport à sa température interne en diminuant les performances afin d'empêcher tout arrêt thermique.

Assurer des performances élevées avec une charge de travail mixte



Les charges de travail E / S générées dans les centres de données impliquent une combinaison de différents ratios d'écriture / lecture mixtes et requièrent des tailles ainsi que des profondeurs de file d'attente (QD) des Native Command Queuing (NCQ) selon le type de service. Le 845DC EVO a été spécialement conçu pour répondre aux divers besoins des applications des centres de données tout en ne se limitant pas uniquement à simplement améliorer les performances d'écriture / lecture. Il propose également des performances incroyables pour les différentes charges de travail mixtes qui accèdent simultanément au serveur. Pour différents ratios d'écriture / lecture, le 845DC EVO présente des performances globales supérieures qui contribuent grandement aux performances totales d'un centre de données.
FICHE TECHNIQUE

Fiche technique Samsung 845 DC EVO, 960 Go, SATA III

Ref SAMSUNG: MZ-7GE960EW
Garantie constructeur : constructeur 5 ans
Garantie légale de conformité : 2 ans

Caractéristiques techniques :
Format
2,5" / 7 mm d'épaisseur
Capacité
960 Go
Interface de Transfert
SATA III - 6 Gb/s
Contrôleur
Samsung 3-core MEX
Puces mémoire
Samsung 19nm Toggle 3bit TLC NAND
Lecture séquentielle
Jusqu'à 530 Mo/sec
Ecriture séquentielle
Jusqu'à 410 Mo/sec
Lecture aléatoire
Jusqu'à 87 000 IOPS
Ecriture aléatoire
Jusqu'à 14 000 IOPS
Fiabilité (MTBF)
2 millions d'heures
Dimensions
100 x 69.85 x 6.8 mm
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