Samsung SSD 990 EVO 1 To
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Samsung SSD 990 EVO 1 To

SSD M.2 - PCI-Express 5.0 NVMe - Lecture max : 5000 Mo/s - Ecriture max : 4200 Mo/s - Mémoire TLC 3D
DESCRIPTION
  Samsung SSD 990 EVO 1 To (picto:1436)
SSD 990 EVO 1 To

Optimisez les performances au quotidien


Samsung SSD 990 EVO 1 To (image:2)

Entrez dans le PCI 5.0

Le 990 EVO répond aux exigences des gamers, des professionnelles et des créateurs . Pris en charge par les dernières interfaces PCIe® 4.0 x4 et PCIe® 5.0 x2, il offre la flexibilité nécessaire pour répondre aux besoins informatiques actuels et futurs. Restez au top avec ce SSD performant et polyvalent.

Passez à la vitesse supérieure

Vitesses de lecture/écriture séquentielle jusqu'à 5 000 / 4200 Mo/s et jusqu'à 680K/800K IOPS. La vitesse de lecture séquentielle est environ 1,43 fois plus rapide que les SSD PCIe® 3.0 et 8,9 fois plus rapide que celle d'un SSD SATA. Moins d'attente pour les jeux et accédez plus rapidement aux fichiers volumineux.

Gestion de l'énergie révolutionnaire

Avec une amélioration remarquable de plus de 70 % d’efficacité par rapport au 970 EVO Plus, vous pouvez utiliser votre ordinateur encore plus longtemps sans vous soucier de l'autonomie de la batterie. De plus, elle prend en charge Modern Standby, qui vous permet de rester connecté à internet et de recevoir des notifications même en utilisant le mode basse consommation.

Une endurance exceptionnelle

Profitez d'une performance durable. Avec 600 TBW d'endurance et une garantie limitée de 5 ans, la gamme 990 EVO tire le meilleur parti de la technologie V-NAND.

Samsung Magician

Gérez votre SSD en toute simplicité. Le logiciel Samsung Magician vous aidera à garder un œil sur votre SSD. Une suite d'outils simples permet de réaliser les mises à jour, de surveiller la santé et la vitesse du SSD et même d'améliorer les performances.


Samsung SSD 990 EVO 1 To (image:3)



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FICHE TECHNIQUE

Fiche technique Samsung SSD 990 EVO 1 To

Ref Samsung: MZ-V9E1T0BW
Garantie constructeur : 5 ans
Garantie légale de conformité : 2 ans
Caractéristiques Techniques
Format
M.2 (Type 2280)
Capacité
1 To
Interface
NVMe (PCI-E 5.0 2x / 4.0 4x)
Mémoire
TLC 3D (V-NAND)
Cache DRAM
Non
Contrôleur
Samsung In House
Débit en lecture
Jusqu'à 5000 Mo/s
Débit en écriture
Jusqu'à 4200 Mo/s
IOPS
  • Lecture : 680 000 IOPS
  • Écriture : 800 000 IOPS
Endurance
600 TBW
Dimensions (L x H x P)
22 x 80 x 2.38 mm
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