Western Digital WD Black SN850 2 To

Réf WESTERN DIGITAL : WDS200T1X0E
SSD M.2 - PCI-Express 4.0 NVMe - Lecture max : 7000 Mo/s - Ecriture max : 5100 Mo/s - Mémoire TLC 3D
Western Digital WD Black SN850 2 To
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Descriptif Produit
Fiche Technique
Avis
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  • Western Digital WD Black SN850 2 To
    WESTERN DIGITAL

    Garantie constructeur : 5 ans
    Garantie légale de conformité : 2 ans

    Modalités de reprise d'un produit électronique usagé

    Info picto SSD invisible dans Windows ? Initialise-le à l'aide de ce tutoriel : https://www.youtube.com/watch?v=D0_M0ZrRyh8
    logo Western Digital  

    WD Black SN850 2 To


    Nouvelle génération de stockage pour des performances décuplées


    Image: /boutique/img/in/in2000/in20005920/yy02.jpg

    Avec sa gamme SSD Black SN850 PCIe 4.0, ces SSD M.2 s conçus et adaptés aux programmes qui requièrent de hautes performances, telles que les jeux, l'utilisation multimédia Ultra HD et les logiciels de création, les disques SSD WD Black SN850 PCIe NVMe vous offre le degré d'efficacité nécessaire ultime qui pouvait vous manquer.

    Pas de compromis. Rien ne vous retient. Le disque SSD NVMe WD Black SN850 permet des vitesses de lecture et d'écriture séquentielles atteignant 7000 / 5100 Mo/s pour les jeux, le montage vidéo, la réalité virtuelle et bien plus encore. En utilisant le tableau de bord WD Black vous pourrez optimiser le rapport consommation/performance afin d'adapter votre besoin en bande passante.

    Avec un temps moyen de bon fonctionnement avant panne (MTTF) de 1,75 million d'heures, et un taux d'endurance jusqu'à 1200 ToW, le SSD WD Black SN850 possède une garantie sur le long terme.

     Ce SSD vient avec une garantie limitée à 5 ans.

    Image: /boutique/img/in/in2000/in20005920/yy01.jpg

  • Fiche technique Western Digital WD Black SN850 2 To

    Caractéristiques Techniques
    Format
    M.2 (Type 2280)
    Capacité
    2 To
    Interface de Transfert
    NVMe (PCI-E 4.0 4x)
    Vitesse Lecture / Ecriture
    Jusqu'à 7000 Mo/s - 5100 Mo/s
    Lecture Aléatoire
    1 000 000 IOPS
    Ecriture Aléatoire
    1 000 000 IOPS
    Type de mémoire Flash
    TLC 3D
    Cache DRAM
    Oui
    MTBF
    1.75 Million d’heures
    Endurance
    1200 To

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